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850nm 56Gbaud PD Chip / 4x56Gbaud Array PD ChipGaAs 850nm 100Gbps PAM4 光探測器芯片 / 400Gbps PAM4 光探測器陣列芯片


INTRODUCTION介紹


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GaAs 850nm 100Gbps PAM4  /  850nm 400Gbps PAM4 1x4 Array PD Chip 


OS-GaAs5030   /   OS-GaAs4x5030


Features 

Bandwidth up to 36GHz

φ30um active area

Low capacitance


Application

100Gbps PAM4

400Gbps PAM4

400Gbps SFP+


Specification  (Tc=25, Single Die) 


PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST CONDITIONS

Response range

λ

840

850

860

nm


Responsivity

R

0.55

0.6


A/W

λ=850nm

Dark current

ID


0.01

0.05

nA

VR=-5V

Capacitance

C


0.05

0.09

pF

VR=-2V, f=1MHz

Bandwidth

Bw


36.0


GHz

VR=-2V

3dB down, RL=50Ω





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產(chǎn)品中心

產(chǎn)品應用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達等領域,并可提供不同響應波長的各種大面積光探測器芯片及一維和二維光探測器陣列芯片等定制服務。

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產(chǎn)品應用覆蓋光接入網(wǎng)、5G無線通信、光傳輸網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、微波光子、量子通信、屏下傳感、HDMI、氣體傳感、紅外成像、激光雷達等領域,并可提供不同響應波長的各種大面積光探測器芯片及一維和二維光探測器陣列

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