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InGaAs 56Gbaud PD Chip / 4x56Gbaud Array PD Chip1310nm 100Gbps PAM4 光探測器芯片 & 4x100Gbps PAM4 光探測器陣列芯片


INTRODUCTION介紹


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InGaAs 
56Gbaud PIN & 4x56Gbaud Array PD Chip - OS-PD5016、OS-PD4x5016


1310nm 100G -400G PAM4 PIN PD芯片



Features

   Data rate up to 400Gbps 
   High Responsivity

   Low Capacitance

   Low Dark Current

   Top Illuminated planar structure

   Diode on Semi Insulating Substrates

   Anode/Cathode Pads on Front Side


Application

   IEEE 100-400Gigabit Ethernet

   400Gbps CWDM4,PAM4



Specification  (Tc=25℃,Single Die)

PARAMETER

SYMBOL

MIN

TYP

MAX

UNIT

TEST CONDITIONS

Active area diameter

D


18


μm


Response   range

λ

900


1650

nm


Responsivity

R

0.7

0.75


A/W

λ=1310nm


0.75


λ=1550nm

Dark   current

ID


0.02

0.50

nA

VR=5V

Capacitance

C


0.05

0.07

pF

VR=2V,   f=1MHz

Bandwidth

Bw


36.0


GHz

3dB down,   RL=50Ω

Die size


250X340

μm

For   Single Die

250X1360

For 1x4 Array



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產品中心

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